先月最もよく読まれた記は東の3D-NANDフラッシュ
2015Q3月に最もよく読まれた記は、東の3次元NANDフラッシュメモリに関する記だった。
これは、サムスンの発表よりもれること1Q半、東も3D-NANDを化したというニュースだ。東は、微細化を優先したのち10nm時代に入ると同時に3D-NANDに々圓垢觴画だったから、予定を早めたことになる。
その次の「NANDフラッシュ、j}トップ3社を下位3社が{いかける」もNANDフラッシュに関する記で、少ないプレイヤーのx場でのランキングを述べたもの。
3位の「世cを~け巡ったNXPとFreescaleの合S、ルネサスにjきな脅威」だけがNANDフラッシュとは無関係の記である。これは欧ΔPhilipsから独立したNXP Semiconductor(今は@本関係くなし)がクルマを啣修垢訌世い如▲ルマに咾FreescaleをA収提案したもの。
4位の「SSDより]いフラッシュストレージをViolin Memoryが出荷」は、SSDとは異なりストレージディスクの仕様を使わずに、ひたすらNANDフラッシュストレージのレイテンシをらして高]化を狙うBである。
5位の「3D-NANDの発表相次ぐ」は、東の発表の翌日にMicron/Intelグループからも発表があったため、この背景について述べている。