世�c的には成長するも停�]する日本�x場に�Z戦−��湾eMemoryの例
![世�c的には成長するも停�]する日本�x場に�Z戦−��湾eMemoryの例](/assets_c/900px/140401-ememory.png "世�c的には成長するも停�]する日本�x場に�Z戦−��湾eMemoryの例")
半導���噞は、世�c中が�Pび日本だけが成長していないという現実が突きつけられている。例えば、不ｧ発性メモリIPベンダーの��湾eMemory社は、日本でのビジネスに�Z戦している。しかし同社のメモリIPを集積したシリコンウェーハは、世�c�x場では2013�Qだけで8インチで200万��を��え、����で730万��を突破した。 [→��きを読む]
メモリ
AMD、5��のディスプレイを同時に動かせるGPUをリリース
AMDが新しいGPU「Radeon E8860：コード�@Adelaar」をリリースした。このシリーズは、コンピュータ向けというよりも、ゲーム機（パチンコやスロットマシーンなど）、デジタルサイネージ、医��画������、�噞���U(ku┛)御機�_(d│)、通信インフラなどの組み込み機�_(d│)を狙ったグラフィックスプロセッサ。組み込み�Uに��を入れた����の�k環だ。 [→��きを読む]
東��NANDフラッシュの研�|データ�eち出し���Pを考える
東��の半導��メモリに関する�\術情報を、東��の提携先であるSanDisk元社�^が�eち出したとして�j捕された。今�vの���Pの��1報は、13日の日本経済新聞�D刊に掲載された。その後、���Pは��らかになってきた。これは、企業秘密を�eち出し、��合企業に提供するといった�噞スパイ行為そのものである。 [→��きを読む]
メモリ��給が緩み始め、クルマ�\術が��発に動く
2013�Qの半導���x場はDRAMやフラッシュなどのメモリがけん引したが、メモリの��給が緩み始めている。また、クルマ向けのカーエレクトロニクスは依��として��発であり、ルネサスが28nmのフラッシュメモリIPを開発した。欧�Δ任流�小型EV（電気�O動�Z）の実�xにはトヨタが参加し、ホンダが参加を�`指す。 [→��きを読む]
Spansion、333MB/sと高�]のシリアルバスを提案、フラッシュNOR����発売
![Spansion、333MB/sと高�]のシリアルバスを提案、フラッシュNOR����発売](/assets_c/900px/140221-spansion.png "Spansion、333MB/sと高�]のシリアルバスを提案、フラッシュNOR����発売")
Spansionが最�j(lu┛)333MB/sと高�]のデータレートで読み出せる新しいメモリインタフェースバスHyperBusを提案、このインタフェースを組み込んだ高�]のNORフラッシュ����HyperFlashの��1��をリリースした。ピン数はわずか12ピンで読み出せるため、省スペースのクルマなどに向く。 [→��きを読む]
新型相変化メモリをTRAMとLEAPが命�@
LEAP（��低電圧デバイス�\術研�|組合）が2013 IEDM（International Electron Devices Meeting）で発表した新しい相変化メモリ(参考�@料1)は、TRAM（Topological switching RAM）と�@��けることが��まった。GeTe/Sb2Te3��格子の中のGeの�‘阿世韻把笘B�^と高�B�^をスイッチングする。このカルコゲン材料による��格子を、トポロジカル絶縁��と�饑��駘�学の世�cで�}んでいる。 [→��きを読む]
��めに転じる半導��業�c
��(sh━)国では、AMDやTI（Texas Instruments）の収益構�]が改��、エルピーダはDRAMに800億��を投�@する��画を発表、東��は��(sh━)OCZ Technology社のSSD��業�A収を完了した。ソニーはインドの����業��委�m�j(lu┛)�}Evalueserveとの合弁会社を設立、欧��(sh━)への����出願を�膿覆垢襦� [→��きを読む]
少電流・高�]・1億�v書き換え可�Δ柄衒儔愁瓮皀蠅�LEAPが開発
![少電流・高�]・1億�v書き換え可�Δ柄衒儔愁瓮皀蠅�LEAPが開発](/assets_c/900px/131212-leap.png "少電流・高�]・1億�v書き換え可�Δ柄衒儔愁瓮皀蠅�LEAPが開発")
相変化メモリがRAMとして使える可��性が出てきた。��低電圧デバイス�\術研�|組合（LEAP）は、�T晶Aと�T晶Bの���，世韻覗蠹��，任�る原理を�W(w┌ng)��したメモリを開発し、1億�vを��える書き換え�v数を�u(p┴ng)た。これ以�屬僚颪�換えテストは時間がかかりすぎるため、中�Vしたという。 [→��きを読む]
2013�Qの世�c半導��ランキング見通しをIHSグローバルも発表
IHSグローバルが2013�Qの世�c半導���x場見通しを発表した。2013�Qの半導���x場見通しについてはすでにIC Insightsが発表している（参考�@料1）が、IHSの統��にはファウンドリを含まない。このため、本ランキングの合��金�Yが半導������の�x場を表していることになる。 [→��きを読む]
NANDフラッシュの�x場がデジカメ･スマホからデータストレージにも拡�j(lu┛)
ビッグデータ、データセンター、ストレージ、NANDフラッシュ、複雑な高集積プロセス。�k見関係のない言��だが、半導��のプロセスがITデータセンターの�\術と今、深く�Tびついている。AEC/APCレポート(参考�@料1)で報告したように、ビッグデータの解析に使うHadoopソフトウエアが、複雑な半導��プロセスパラメータの解析にも使われるようになり、NANDフラッシュはHDDと��き換わる��(c┬)渡期にある。 [→��きを読む]
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