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先端半導をけん引するモバイル\術〜ISSCC2014から見えるトレンド

先端半導をけん引するモバイル\術〜ISSCC2014から見えるトレンド

ISSCC(International Solid-State Circuits Conference)2014の要がwまった。半導の世cはアジアシフトが(d┛ng)まっていることから、東Bを皮切りにソウル、、シンガポール、Bでも記v会見を行った。この国際半導v路会議は、アナログからRF、デジタル、低電デジタル、プロセッサ、メモリ、イメージセンサなどをカバーし、ここから見えることはやはり、モバイル端が\術をけん引していることだろう。 [→きを読む]

湾好調、国内にもるいB、パナが世c初のHDMI2.0チップを商化

湾好調、国内にもるいB、パナが世c初のHDMI2.0チップを商化

湾が好調だ。2013Qにおける半導関連噞の売り屬欧(c┬)去最高で、iQ比14%\の1兆7577億湾元(5兆8700億)になるという見通しを湾のITUシンクタンクが発表したと日経噞新聞が18日に伝えた。国内ではパナソニックが世cで最初のHDMI2.0拠の通信LSIを商化した。(sh━)国ではTexas Instruments社がコイルをW(w┌ng)するセンサの信(gu┤)処理v路を発表した。 [→きを読む]

アップルiPhone5Sに初の64ビットAPU搭載、東の積極投@にR`

アップルiPhone5Sに初の64ビットAPU搭載、東の積極投@にR`

日本時間9月11日にアップルのiPhone5Sの発表があったものの、報Oの(c┬)X感はさほどでもなかった中、64ビットアプリケーションプロセッサ(APU)が初めてスマートフォンに搭載された。このT果、DRAMをいくらでも積めるようになる。東は半導・ストレージ業を2015Q度までにQ平均6.8%で成長させるという中期画を投@アナリスト向けに発表した。 [→きを読む]

湾、モバイルDRAMをバネに復`指す-21vISSM/eMDC合同シンポから

湾、モバイルDRAMをバネに復`指す-21vISSM/eMDC合同シンポから

21vを迎えたISSMと、湾TSIA主(h┐o)のe-Manufacturing & Design Collaboration Symposium (eMDC)のジョイントシンポジウムが9月6日、湾、新艚xのAmbassador Hsinchu Hotelにて開(h┐o)され、260@の参加vが集った。会場はTSMCを中心とした湾の{いエンジニアがの8割以屬鰒め、気溢れる会合であった。 [→きを読む]

サムスン、3次元e構]NANDフラッシュの量凮始を発表

サムスン、3次元e構]NANDフラッシュの量凮始を発表

8月6日の日本経済新聞は、1Cトップに「東、サンディスクと半導新工場、4000億投@、最新メモリーで巻き返し」という見出しの記を掲載、半導業cを驚かせた。ただ、直後の7日に開(h┐o)された東の経営(sh┫)針説会では、このことに関して田中久d社長はk切Bをせず問も出なかった。 [→きを読む]

SuVolta社、富士通にき、ARM、UMCとも契約、成長企業へ踏み出す

SuVolta社、富士通にき、ARM、UMCとも契約、成長企業へ踏み出す

MOSトランジスタのゲートしきい電圧Vthのバラつきを本的に(f┫)らす\術企業のSuVolta(スボルタ)社。このほど、ARMコアで高性Αδ秕嫡J電を実証、さらにUMCと28nmプロセスを共同開発することを発表した。この\術は、Vthバラつきを小さくできるため、電源電圧を下げ、消J電を削(f┫)できる。 [→きを読む]

東、エルピーダが設投@を再開

東、エルピーダが設投@を再開

この1週間で久しぶりにるいBが登場した。東とエルピーダがスマートフォンの好調をpけて投@を再開した。7月18日の日本経済新聞によると、東はNANDフラッシュメモリの設∋\(d┛ng)に最j(lu┛)300億を投@、エルピーダも湾のRexchipの工場において、モバイルDRAM攵を、4月の300mmウェーハ1万からQまでに4万/月に\する。 [→きを読む]

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