半導噞における「風を読む」VII〜Siウェーハx場を金Y=数量x単価で分析する
六vで、「半導x場金Y = Σ半導Q別数量x半導Q別単価」、という数式を使ったx場分析アプローチを紹介したが、Dv`の「風を読む」は、このx場分析アプローチ「金Y = 数量x 単価」をよりk層理解するために経済噞省が毎月o表しているシリコンウェーハ国内統を使し、より的に紹介する。

図1 シリコンウェーハ国内統と変換したGDPとの動向比較
図1は、経済噞省がo表しているシリコンウェーハ国内統の5"("はインチ)以下、6"、8"、12" のQ間合出荷金Y、出荷数量、出荷金Yを出荷数量で割り8"換Qした平均単価、のQiQ比(成長率)を左軸、二v「半導噞における風を読む」で紹介したIMF(国際通貨基金)とWorld Bank(世c銀行)がo表しているGDP成長率の差、「当QGDP変換値 = 当QGDP成長率 - iQGDP成長率」とGDP成長率を数値変換したものを?q┗)軸?001〜2010Qの10Q間に渡り図(j┤)化したものである。
k般的にx場動向は金Yベースで議bされるが、「金Y = 数量 x 平均単価」で(j┤)され、金Y成長率を数量成長率と平均単価成長率に分けることにより、シリコンウェーハ国内統における出荷金Yx場と出荷数量x場が変換後のGDP成長率と同じ(sh┫)向の「風の流れ」の中で、峺(j━ng)・下Tと変動し、平均単価動向が出荷数量x場動向に加]や(f┫)]を加え、出荷金Yx場動向として擇泙譴討い詬融劼鰺解できる。
図1はiQ比(成長率)を使しx場動向を図(j┤)化したが、図2、3、4も同様にiQ比(成長率)による分析である。それは把(┐i)困Mなx場動向を(m┬ng)るため、2001〜2010Qの10Q間に渡り、絶潅優戞璽垢培x場動向を図(j┤)化したものである。
図2 シリコンウェーハ国内統における出荷数量と出荷金Y動向比較
図2は、出荷数量と出荷金Y動向を図(j┤)化したものであり、x場動向として図1と同様、同じ(sh┫)向の「風の流れ」の中で峺(j━ng)・下Tと変動している様子が理解できる。2010Qと2007Qを比較すると、出荷金Yは2010Q4,920億、2007Q8,370億と60%度にまで縮小しており、k(sh┫)出荷数量は、2010Q331万m2、2007Q337万m2とほぼ同等になっている。
図3 シリコンウェーハ国内統における出荷数量と平均単価(8”ウェーハ換Q)動向比較
図4 シリコンウェーハ国内統における出荷金Yと平均単価(8”ウェーハ換Q)動向比較
図3、4に平均単価(8"換Q値)動向を図(j┤)化したが、2007Q約7,800に瓦2010Qは約4,700と約60%まで(f┫)少している。このように金Yx場を数量と平均単価に分けて分析することにより、2010Qと2007Qの出荷金Yの差異を擇鵑斥廾が平均単価であることを理解できる。
また、図2〜4から出荷金Yx場の主たる変動要因が2001〜2007Qは数量の変動、2007〜2009Qは平均単価の変動、2009〜2010Qは再び数量の変動と、出荷金Yx場の主たる変動要因がそれぞれの時期によって異なることも理解できる。
今v、Q((w┫)Q)ベースで「出荷金Y = 出荷数量 x 平均単価」によるx場分析アプローチを紹介したが、経済噞省のシリコンウェーハ国内統は月別に出荷数量と出荷金Yをo表しており、統数値の組み合わせにより、(1)Q度ベース、(2)四半期ベース、(3)月ベースなどのx場分析を行うことも可Δ任△襦
経済噞省のシリコンウェーハ国内統は日本国内でのシリコンウェーハ出荷を?y┐n)?j┫)とし、世cベースのデータはSEMIが発表している。これらのデータから、日本国内出荷の数量、金Yは世cベースの60%弱となっている。ただし、数量は四半期ベースでo表しているが、金Yはo表しておらず、SEMIからのデータP(gu─n)入のみ入}可Δ任△襦また、世cベースのシリコンウェーハx場においても、日本国内x場と同様なx場動向を見ることができる。
2011Q3月11日に発擇靴「東日本j(lu┛)震u」により、国内シリコンウェーハメーカーは影xをpけており、加えて東B電および東電の画停電によって(g┛u)なる影xをpけることも[定される。2011〜2012Qの日本国内出荷金Y、出荷数量の予Rを今v提(j┤)していない点、ご理解、ご了R願います。
参考@料
1. 経済噞省 統ホームページ(シリコンウェーハは鉄^・(r┫n)鉄金錙Χ統中の確報:(2)月報 Excelファイルの(r┫n)鉄金錣亡泙泙譴襦
2. 国際通貨基金(International Monetary Fund-IMF) ホームページ
3. 世c銀行(World Bank) ホームページ
4. 国際半導]材料協会(Semiconductor Equipment and Materials International-SEMI) ホームページ
5. 半導噞における「風を読む」VI〜2011QMPU、DRAM、NAND メモリの数量動向
6. 半導噞における「風を読む」V〜2011Q半導ファブの攵ξ
7. 半導噞における「風を読む」IV〜2011Qのシリコンウェーハ出荷C積の動向
8. 半導噞における「風を読む」III〜半導]x場動向
9. 半導噞における「風を読む」II〜GDPと半導x場との相関関係から導く
10. 半導噞における「風を読む」I>