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2nmのマスク作期間を格段と]縮するNvidiaのcuLithoとSynopsysのOPC

2nmプロセスでは、EUVといえどもOPC(光学的Z接効果T)が要になってくる。EUVの13.5nmというS長ではパターンをそのまま加工できなくなってきたからだ。2nmプロセスだと複雑すぎて試行惴軼なアプローチはもはや使えない。Q機W(w┌ng)のリソグラフィの出番となる。NvidiaとTSMC、Synopsys、ASMLは、昨Qエコシステムを構築したが(参考@料1)、TSMCの量ラインにQ機リソを導入していることがらかになった。

図1 cuLithoのテストパターンチップ 出Z:Nvidia

図1 cuLithoのテストパターンチップ 出Z:Nvidia


2nmプロセスは、単なるGAAトランジスタの導入だけではなく集積度が格段と屬ることによって極めて複雑な設になると同時に、最小の実∨,11~12nmとEUVのS長よりも]くなるため、90nm時代から導入されたOPCがマスクごとにL(f┘ng)かせなくなる。Qマスクに最適なパターンをQするために、NvidiaのGPUとQ機ベースのリソグラフィ(Computational Lithography)向けのライブラリであるcuLithoをW(w┌ng)することになる。昨QはこのためにNvidiaとTSMC、Synopsys、ASMLがQ機リソのエコシステムを構築した。

TSMCのCEOであるC.C.Wei(hu━)は、「TSMCのプロセス工にGPUベースのQシステムを組み入れるためにNvidiaと協してきたが、その性Δ高くスループットがj(lu┛)きく向屬掘▲泪好開発期間が]縮、消J電もj(lu┛)幅に削(f┫)した」と語っている(参考@料2)。「NvidiaのcuLithoをTSMCの攵ラインに組み込み、半導の微細化に_要なマスク設にする」と言う。またOPCでは、光源の形にも依Tするため、ASMLのEUVリソグラフィの光源の(d┛ng)さや位相などのパターンも調Dすることになる。

NvidiaのcuLithoをTSMCのラインに導入し、まずテストしたT果、曲線的なパターンをu(p┴ng)る]度が45倍]くなり、eと横の直線的なパターンの「マンハッタン」マスクでは60倍も]くなったという。

さらにマスク作期間を加]させるため、NvidiaのcuLithoに実績のあるSynopsysのProteusと}ぶOPCソフトを統合するため、Synopsysとも組んだ。最適パターンのQ時間を桁違いに]縮させることを狙っている。Proteusは、20Q間実績のあるOPCソフトであるが、cuLithoに組み込むことでGPUベースのQ機リソになり、@度や効率、マスク]度はj(lu┛)幅に向屬垢襪世韻任呂覆、のモデル構築も進み、したICパターンとiのパターンでの効果を分析することもできるようになり、チップ]プロセスをk新するという。

Nvidiaはこの1Qで、收AIを適してcuLithoの価値を高めるためにアルゴリズムも開発してきた。このT果、收AIによってQ]度は倍\した。收AI[を適して光のv折を考慮することで反転マスクや反転ソリューションもほぼ完ぺきにできるようになるとしている。ここにさらにProteusのOPCを加えることで最終的にマスク作成時間は2桁]くなるという。

また、これまでのGPUQではH100を使ってきたが、(j┤ng)来はNvidiaのBlackwell GPU(参考@料3)を使うようだ。リソプロセスで今後も何かボトルネックが出てきたときに收AIとcuLitho、Proteusで最適なマスク作成が可Δ砲覆襪燭瓠2nm以Tのプロセス開発に~な_(d│)になりそうだ。

参考@料
1. "TSMC and Synopsys Bring Breakthrough NVIDIA Computational Lithography Platform to Production", Nvidia
2. 「NvidiaがASML、TSMC、Synopsysと組み、Q機リソで2nmノードを突破へ」、セミコンポータル (2024/03/24)
3. 「Nvidia、1兆パラメータの收AI向け新GPUとAIコンピュータを発表」、セミコンポータル (2024/03/22)

(2024/03/28)
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